IXTA15N50L2 IXTP15N50L2
IXTH15N50L2
18
16
14
Fig. 7. Input Admittance
12
10
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
25oC
12
8
125oC
10
8
6
T J = 125oC
25oC
- 40oC
6
4
4
2
2
0
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
45
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
40
35
14
12
V DS = 250V
I D = 7.5A
I G = 10mA
30
10
25
8
20
15
10
5
0
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
2
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
10,000
1,000
100
10
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
1
0.1
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料
IXTH160N075T MOSFET N-CH 75V 160A TO-247
IXTH160N15T MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
IXTH16P20 MOSFET P-CH 200V 16A TO-247
IXTH180N10T MOSFET N-CH 100V 180A TO-247
IXTH182N055T MOSFET N-CH 55V 182A TO-247
IXTH200N085T MOSFET N-CH 85V 200A TO-247
IXTH200N10T MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
IXTH20N60 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
相关代理商/技术参数
IXTH15N55 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR
IXTH15N60 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR
IXTH15N65 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR
IXTH15N70 制造商:INTERFET 制造商全称:INTERFET 功能描述:N-Channel Enhancement Mode
IXTH15P15 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR
IXTH15P20 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR
IXTH160N075T 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH160N10T 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube